公司動態-蘇州東微半導體股份有限公司

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東微半導體自主研發的SGT-MOS實現量產

2016-12-30

東微半導體的SGT-MOS實現量產，SGT-MOS采用半浮柵結構，兼備了傳統平面結構和SGT結構的功率MOSFET的優點，并具有更高的工藝穩定性和可靠性及更快的開關速度、更小的柵電荷和更高的應用效率等優點
東微半導體量產充電樁用核心功率半導體器件

2016-04-13

2016年4月，東微半導體在國內率先量產650V80A快恢復GreenMOS產品，并批量進入直流充電樁領域，打破了這一領域國外廠商的壟斷，人民日報等主流媒體均進行了詳細報道
東微半導體發布GreenMOS系列產品

2015-06-30

為適應電源系統高效率小型化的需求，東微半導體從2014年開始在華虹宏力開發新一代超級結技術,并于2015年第二季度推出了新型的GreenMOS系列高壓MOSFET產品
科技部副部長曹健林視察東微半導體

2014-05-06

2014年5月，在省政協副主席、省科技創新工作領導小組副組長徐南平及市委副書記、市長周乃翔的陪同下，科技部副部長曹健林視察東微半導體研發進展，高度贊揚了東微半導體在基礎元器件上下的功夫和創新能力，鼓勵團隊加速產業化，打破國外廠商的壟斷。
半浮柵晶體管原創成果在美國《science》雜志上發表

2013-08-09

2013年8月，東微半導體原創的半浮柵晶體管技術論文在美國《science》雜志上發表，標志著國內科學家在半導體核心技術方向獲得重大突破。
東微半導體制造出世界上首個半浮柵晶體管

2012-09-28

在東微半導體團隊的堅持和不懈努力下，2012年9月，世界上首個半浮柵晶體管（Semi-Floating gate Transistor）被研制成功，作為一種新型的基礎器件，半浮柵晶體管可應用于SRAM（即靜態隨機存儲器）和DRAM（即動態隨機存儲器領域）。

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